台积电2nm制程研发取得突破

据台湾经济日报消息,台积电2nm技术研发有重大突破,已成功找到路径,将切入环绕式栅极技术(gate-all-around,GAA)技术。

消息称,三星决定在3nm率先导入GAA 技术,并宣称到2030年超过台积电,取得全球逻辑芯片代工龙头地位。不过台积电积极投入2nm研发,并获得技术重大突破,目前已成功找到切入GAA 路径。台积电负责研发的资深副总经理罗唯仁,还为此举办庆功宴,感谢研发工程师全心投入。

晶圆

台积电3nm制程预计明年上半年在南科18厂P4厂试产、2022年量产,业界预测,台积电2nm推出时间将在2023年到2024年之间。

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